• 设为首页
  • 加入收藏
  • 联系邮箱
  • 网站首页
  • 期刊介绍
    • 期刊简介
    • 历任主编
    • 期刊荣誉
  • 编委会
    • 社长及主编
    • 主任委员
    • 编委名单
  • 投稿指南
    • 作者须知
    • 投稿步骤
    • 范文(规范细则)
    • 稿件处理流程
    • 著作权转让协议
  • 期刊影响力
  • 开放获取
  • 出版道德政策
    • 出版伦理声明
    • 学术不端认定和处理方法
    • 广告及市场推广
    • 同行评议流程
    • 斟误和撤回
    • 回避制度
    • 文章署名及版权转让
  • 历年目次
  • 联系我们
  • English
站内检索    
 
彭咏龙,李荣荣,李亚斌.大功率SiC MOSFET驱动电路设计[J].电测与仪表,2015,52(11):.
PENG Yong-long,LI Rong-rong,LI Ya-bin.The Design of High Power SiC MOSFET Driver Circuit[J].Electrical Measurement & Instrumentation,2015,52(11):.
大功率SiC MOSFET驱动电路设计
The Design of High Power SiC MOSFET Driver Circuit
DOI:
中文关键词:  SiC MOSFET  开关特性  驱动电路  双脉冲实验
英文关键词:SiC MOSFET, Switching Characteristics, Drive circuit, Double-pulse experiment
基金项目:
        
作者中文名作者英文名单位
彭咏龙PENG Yong-long华北电力大学电气与电子工程学院
李荣荣LI Rong-rong华北电力大学电气与电子工程学院
李亚斌LI Ya-bin华北电力大学电气与电子工程学院
摘要点击次数: 3777
中文摘要:
      本文在实际工程应用的基础上,针对50KW/1MHz的高频感应加热大功率SiC MOSFET电路要求及SiC MOSFET开关特性进行开发研究。通过对SiC MOSFET的开通过程特性进行详细,得出使其可靠、安全驱动的要求,在现有已经成熟应用的Si MOSFET驱动电路基础上对其进行改进,研究适合工作在兆赫范围内的SiC MOSFET驱动电路。并采用双脉冲实验验证所设计驱动电路的基本特性及确定最佳门极电阻参数。
英文摘要:
      On the basis of project, one kind of driver circuit for SiC MOSFET was discussed according to the requirements of 50KW/1MHz high power SiC MOSFET circuit, and the switching characteristics of SiC MOSFET. Through the process of opening the detailed characteristics of SiC MOSFET , come to make reliable, safe driving requirements, to improve it in Si MOSFET driver circuit-based applications on existing mature, research for the job in the megahertz range of SiC MOSFET driver circuit . The basic characteristics of the driver circuit using double-pulse experiments to verify the design and determine the optimal parameters of the gate resistance.
查看全文  查看/发表评论  下载PDF阅读器
关闭
  • 哈尔滨电工仪表研究所有限公司
  • 中国电工仪器仪表信息网
  • 中国仪器仪表学会
  • 中华人民共和国新闻出版总署
  • 中国科技期刊编辑学会
  • 黑龙江省科学技术协会
  • 编辑之家
  • 中国知网
  • 万方数据库
  • 维普网
  • 北极星电力网
  • 中华中控网
  • 网站首页
  • 期刊介绍
    • 期刊简介
    • 历任主编
    • 期刊荣誉
  • 编委会
    • 社长及主编
    • 主任委员
    • 编委名单
  • 投稿指南
    • 作者须知
    • 投稿步骤
    • 范文(规范细则)
    • 稿件处理流程
    • 著作权转让协议
  • 期刊影响力
  • 开放获取
  • 出版道德政策
    • 出版伦理声明
    • 学术不端认定和处理方法
    • 广告及市场推广
    • 同行评议流程
    • 斟误和撤回
    • 回避制度
    • 文章署名及版权转让
  • 历年目次
  • 联系我们
地址:哈尔滨市松北区创新路2000号    邮编:150028
邮箱:dcyb@vip.163.com    电话:0451-86611021;87186023
© 2012 电测与仪表    哈公网监备2301003445号
黑ICP备11006624号-1
技术支持:北京勤云科技发展有限公司