• 设为首页
  • 加入收藏
  • 联系邮箱
  • 网站首页
  • 期刊介绍
    • 期刊简介
    • 历任主编
    • 期刊荣誉
  • 编委会
    • 社长及主编
    • 主任委员
    • 编委名单
  • 投稿指南
    • 作者须知
    • 投稿步骤
    • 范文(规范细则)
    • 稿件处理流程
    • 著作权转让协议
  • 期刊影响力
  • 开放获取
  • 出版道德政策
    • 出版伦理声明
    • 学术不端认定和处理方法
    • 广告及市场推广
    • 同行评议流程
    • 斟误和撤回
    • 回避制度
    • 文章署名及版权转让
  • 历年目次
  • 联系我们
  • English
站内检索    
 
冯宇,王晓琪,艾兵,吴光斌,罗睿希,江波.周边电场对电容分压型EVT精度的影响研究[J].电测与仪表,2014,51(21):.
FENG Yu,WANG Xiao-qi,AI Bing,WU Guang-bin,LUO Rui-xi,JIANG Bo.Study on the Influence of Electric Field to Accuracy of Electronic Voltage Transformer with Capacitive Voltage Divider[J].Electrical Measurement & Instrumentation,2014,51(21):.
周边电场对电容分压型EVT精度的影响研究
Study on the Influence of Electric Field to Accuracy of Electronic Voltage Transformer with Capacitive Voltage Divider
DOI:
中文关键词:  电子式电压互感器  杂散电容  邻近效应  有限元仿真
英文关键词:EVT  Stray Capacitance  Proximity Effect  Finite Element Simulation
基金项目:国家电网公司科技项目《影响EVT可靠性的关键技术及工程应用研究》
                 
作者中文名作者英文名单位
冯宇FENG Yu中国电力科学研究院
王晓琪WANG Xiao-qi中国电力科学研究院
艾兵AI Bing四川省电力公司计量中心
吴光斌WU Guang-bin山东泰开互感器有限公司
罗睿希LUO Rui-xi四川省电力公司计量中心
江波JIANG Bo四川省电力公司计量中心
摘要点击次数: 1928
中文摘要:
      随着智能电网建设的不断推进,电子式互感器得到了日益广泛的应用,解决其在运行中的问题具有重要意义。由周边电场所引起的杂散电容与邻近效应是影响电容分压型电子式电压互感器(Electronic Voltage Transformer)精度的重要因素。本文首先分析了周边电场对电容分压型EVT精度的干扰机理与数学模型,其次建立了典型在运电容分压型EVT的有限元计算模型,以此为基础仿真研究了杂散电容与邻近效应对其精度的影响,并对高压端屏蔽罩的屏蔽效能进行了评估。仿真结果表明:地端杂散电容大于高压端杂散电容,杂散电容对EVT分压比的影响随着EVT与接地体之间的距离增大或三相EVT之间的距离增大而减小,EVT分压器的分压比和比值差随着邻近相电压的增大而增大,高压屏蔽罩通过改善电位分布减小水平电场分量从而降低邻近效应的影响。所得结论对于EVT的优化设计具有参考价值。
英文摘要:
      With the further progress of smart grid construction, EVT will be used more in power system application. It is of great significance to solve the problems in its operation. Electric field interference will affect the accuracy of EVTs with the influence of stray capacitance and proximity effect. Interference mechanism and mathematical model are analyzed firstly with studying the influence of electric field to accuracy of EVTS. The finite element model of a typical capacitance-divide EVT in operation is built. The influence of stray capacitance and proximity effect to EVT accuracy is simulated and shielding effectiveness is also evaluated for the high voltage terminal shield. The simulation result shows: stray capacitance of ground terminal is greater than the one of high voltage terminal, EVT divide ratio effected by stray capacitance will be reduced along with the enlarged distance between EVTs or between EVT and grounded objects, the divide ratio and ratio error will get greater when the voltage of adjacent phase increased, the high voltage terminal shield can reduce influence of proximity effect by improving potential distribution which reduced the horizontal component of electric field. The conclusion can be valuable reference for optimization design of EVT.
查看全文  查看/发表评论  下载PDF阅读器
关闭
  • 哈尔滨电工仪表研究所有限公司
  • 中国电工仪器仪表信息网
  • 中国仪器仪表学会
  • 中华人民共和国新闻出版总署
  • 中国科技期刊编辑学会
  • 黑龙江省科学技术协会
  • 编辑之家
  • 中国知网
  • 万方数据库
  • 维普网
  • 北极星电力网
  • 中华中控网
  • 网站首页
  • 期刊介绍
    • 期刊简介
    • 历任主编
    • 期刊荣誉
  • 编委会
    • 社长及主编
    • 主任委员
    • 编委名单
  • 投稿指南
    • 作者须知
    • 投稿步骤
    • 范文(规范细则)
    • 稿件处理流程
    • 著作权转让协议
  • 期刊影响力
  • 开放获取
  • 出版道德政策
    • 出版伦理声明
    • 学术不端认定和处理方法
    • 广告及市场推广
    • 同行评议流程
    • 斟误和撤回
    • 回避制度
    • 文章署名及版权转让
  • 历年目次
  • 联系我们
地址:哈尔滨市松北区创新路2000号    邮编:150028
邮箱:dcyb@vip.163.com    电话:0451-86611021;87186023
© 2012 电测与仪表    哈公网监备2301003445号
黑ICP备11006624号-1
技术支持:北京勤云科技发展有限公司